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    • 专利摘要:
    在一實施例中，電漿處理裝置可包含一介電窗、一真空腔室、一能源以及至少一氣流倍增器。該介電窗可包含一電漿外露表面以及一氣體外露表面。該真空腔室以及介電窗之電漿外露表面可協作來圍住電漿處理氣體。該能源可傳輸電磁能通過介電窗，並在介電窗內形成一溫度提高區域。該至少一氣流倍增器可與介電窗流體相通。該至少一氣流倍增器可在至少約1in-H2O的反壓下運作並提供至少約30cfm的氣體。
    公开号:TW201322832A
    申请号:TW101136958
    申请日:2012-10-05
    公开日:2013-06-01
    发明作者:Jon Mcchesney；Saravanapriyan Sriraman；Ricky Marsh；Alex Paterson；John Holland
    申请人:Lam Res Corp；
    IPC主号:H01J37-00
    专利说明:
    用以冷卻射頻加熱式腔室元件的系統
    本申請案乃主張於2011年10月7日申請之美國臨時申請案號61/544,799之優先權，其發明名稱為「SYSTEMS FOR COOLING RF HEATED CHAMBER COMPONENTS」。該申請案之整體內容乃以參考文獻方式併入本案。
    本發明大致係關於一種包含用以冷卻之裝置的電漿處理裝置，更確切來說，係關於包含用以冷卻介電窗之裝置的電漿處理裝置。
    電漿處理裝置可用來將材料從例如半導體或玻璃形成之基板蝕刻掉。電漿處理裝置可包含一真空腔室，該腔室可圍住電漿處理氣體，該氣體可被離子化而轉變為電漿。例如，賦能源(energized source)(射頻RF、微波或其他來源)可施加能量至該處理氣體以產生電漿。在某些電漿處理裝置中，該能量可傳送通過直通真空腔室而形成之介電窗。因此，介電窗可承受由電磁源所誘發的熱。且因處理狀況所導致之電磁源的各種變異，該熱可局部位於介電窗的特定區域。介電窗的加熱可有兩個來源。第一，該窗(正切-δ)之介電特質可導致RF或微波源的直接吸收。第二，由該賦能源所產生之電漿可間接加熱該窗。且，因該來源(天線結構等)的設計及電漿狀況，該熱可均勻的分佈到整個介電窗或可局部位於窗的特定區域。
    熱能可被動地(也就是沒有冷卻裝置)或是利用一冷卻裝置(例如液冷系統或風扇冷卻系統)而自介電窗移除。液冷系統較有效率但比被動冷卻或風扇冷卻系統來的昂貴。且液冷系統較難安裝於需受電磁能之環境。例如液冷可引起局部冷卻而導致熱梯度及熱裂解。液體之介電特性與周圍之陶瓷不同而導致射頻功率之傳送不一致。例如，液體可以是導電的但卻會導致液體內之射頻功率散逸。液體可能受到核化處理而難以維持在冷卻系統中。
    風扇冷卻系統可利用例如對流來冷卻介電窗。然而，風扇冷卻系統較無效率且難以施加於賦能源所誘發之介電窗內之相對高熱能承載的局部區域。確切來說，適用於電漿處理裝置之風扇冷卻系統處於高反壓下時，其對於排熱較無效率。例如，當處於約0.5 in-H2O或以上的反壓時，風扇冷卻系統可能拋錨而無法提供足夠之氣流以進行冷卻。
    因此，對於冷卻電漿處理裝置之介電窗乃存在著需要其他種裝置的需求。
    在一實施例中，電漿處理裝置可包含介電窗、真空腔室、賦能源、充氣部、以及至少一氣流倍增器(air amplifier)。介電窗可包含一電漿外露表面以及一氣體外露表面。真空腔室可耦合至該介電窗。真空腔室與介電窗之電漿外露表面可協作而圍住一電漿處理氣體。賦能源可放置於真空腔室之內部或外部。該賦能源可傳輸功率通過介電窗而進入該真空腔室。電磁能可在介電窗中形成一高溫區域，並且可將至少一部份之電漿處理氣體轉變成電漿。該至少一氣流倍增器可與該介電窗之氣體外露表面流體相通。該至少一氣流倍增器可在至少約1 in-H2O的反壓下操作，並可提供至少約30 cfm的空氣。
    在另一實施例中，電漿處理裝置可包含介電窗、真空腔室、能源、充氣部以及至少一氣流倍增器。介電窗可包含一電漿外露表面以及一氣體外露表面。真空腔室可耦合至該介電窗。真空腔室與介電窗之電漿外露表面可協作而圍住一電漿處理氣體。該能源可放置於真空腔室之內部或外部。該能源可傳輸功率經過介電窗而進入該真空腔室，如此電磁能可在介電窗中形成一高溫區域而將至少一部份之電漿處理氣體轉變成電漿。該充氣部可與介電窗之氣體外露表面流體相通。充氣部可放置於介電窗之高溫區域上方。該至少一氣流倍增器可與該充氣部流體相通。該至少一氣流倍增器可將充氣部壓迫至至少約2 in-H2O的反壓，並可提供至少約30 cfm的空氣。
    本說明書內由實施例所提供之這些及額外之特徵在看過下列詳細說明以及搭配之圖示之後將更加令人明瞭。
    圖1大致說明電漿處理裝置之一實施例，其用以蝕刻基板上之材料或沈積材料至基板上。電漿處理裝置通常包含一真空腔室、一用以密封該真空腔室之開口的介電窗、一能源以及至少一氣流倍增器。電漿處理裝置的各種實施例以及操作將在下面詳細解說。
    現在參照圖1，電漿處理裝置100包含一真空腔室20，以便在處理基板24時圍住電漿處理氣體及電漿。真空腔室20可以用設定為一參考電位的金屬材質製成。基板24可位於真空腔室20之內以便進行處理。例如，基板可利用一夾盤裝置(圖1未顯示)而被夾持至定位。在實施例中的整個矽穿孔蝕刻期間，真空腔室20可保持在一個很寬的壓力區間，例如約1-1000 mTorr或100 mTorr-200 mTorr。真空腔室20可圍住電漿處理氣體，該氣體可包含例如氟(F)、氯(Cl)、溴(Br)、碘(I)、以及砈(At)等之鹵或鹵元素。且特定之處理氣體尚包含CClF3、C4F8、C4F6、CHF3、CH2F3、CF4、HBr、CH3F、C2F4、N2、O2、Ar、Xe、He、H2、NH3、SF6、BCl3、Cl2以及其他可被離子化之氣體。
    電漿處理裝置100包含一介電窗10，電磁能可通過該介電窗傳輸。介電窗10包含一電漿外露表面12以及一氣體外露表面14，該電漿外露表面12之設置係用以暴露至該真空腔室20之內部。介電窗10係由可傳輸電磁能(例如具有100kHz-100MHz頻率範圍之電磁能)之介電材料所形成。合適之介電材料包含石英及陶瓷，其例如包含氮化鋁、氧化鋁、或其他具有類似傳輸特性之耐火材料。
    電漿處理裝置100包含一能源30，以產生足以使電漿處理氣體離子化之電磁能。能源30包含一內線圈32以及一外線圈34。內線圈32及外線圈34中的每一個在圖1中均由一連續實質長方形之導體所形成，該導體並具有徑向同心且實質圓形之圈線。吾人應注意到能源30可包含以任意適合於產生電磁能之形狀的線圈，例如形成以一角度彼此相對之刻面同心區段、螺線管狀導體、環形線圈狀導體或上述之組合。
    能源30可在很寬的功率範圍內產生電磁能，例如在某些實施例中約為50W至約20 kW，在某實施例中大於約2 kW，在另一實施例中大約3 kW，或者在又另一實施例中大約4.5 kW。在某些實施例中，內線圈32乃與外線圈34彼此耦合。在其他實施例中，複數個線圈可由複數個RF產生器供電。吾人應注意，當能源30係如所示意之多線圈RF源時，該能源可以是任意可產生電磁能之裝置，以產生電感耦合電漿，例如但不限定射頻(RF)功率、電子迴旋共振(ECR)、微波喇叭(microwave horn)、槽式天線或者利用螺旋天線環繞圓柱窗之螺旋波源。
    共同參照圖1及圖2，電漿處理裝置100可選擇性地包含充氣部40，以導引實質均勻的冷卻氣體流至介電窗10上方。充氣部40乃形成為一部分封閉體，並包含一或多個入口42及一或多個出口44。因此，冷卻氣體可由充氣部40之入口42所接收，並引入至一具有反壓的壓力區中，該壓力區至少部分被充氣部40環繞。充氣部40可藉由分隔牆48劃分成複數個區段46，如此使每一區段均包含至少一入口42以及至少一出口44。吾人應注意，雖然充氣部40在圖1及圖2中示意成一實質環狀，充氣部40實際上可以是任意合宜的形狀，以提供冷卻氣體至介電窗10之加熱過區域，下面將詳細說明。充氣部40可以被動材料製成，例如聚四氟乙烯(PTFE或鐵氟龍)、聚二醚酮樹脂(PEEK)、聚醚醯亞胺(PEI或ultem)、陶瓷或其他任何電磁能傳導物質。
    充氣部40可形成為一單片或是可彼此結合之複數區段。具體而言，如圖3所示，充氣區段140可包含複數個形成於充氣區段140內之出口144。充氣區段140可實質為一楔形，其設置係用以與額外之充氣區段140結合起來以圈住一實質圓柱狀或環狀之區域。吾人應注意，此處所描述之充氣部可以任意形狀與能源30協作，並提供加壓之冷卻流至介電窗10或其所需區域。
    現在參照圖4，電漿處理裝置100包含至少一氣流倍增器60以提供氣體至充氣部40(圖1)。每一氣流倍增器60均包含一進氣口62以接收輸入氣體72、一排氣口64以排出冷卻氣體70、以及一輸入控制66以接收加壓氣體68(例如潔淨之乾燥氣體)。在不被任何特定理論限制的情況下，根據伯努利定律以及柯安達效應，據信射入輸入控制66之加壓氣體68提供相較於加壓氣體68之相對大量的冷卻氣體70。具體而言，該加壓氣體68可通過輸入控制66而射入環狀噴嘴74。加壓氣體68可行進通過環狀噴嘴74而以相較於氣流倍增器60外部之氣體相對高的速度進入氣流倍增器60。加壓氣體68可被導向至氣流倍增器60之排氣口64。根據柯安達效應，加壓氣體68可實質沿著氣流倍增器60之環狀邊界76行進。
    加壓氣體68可夾帶傳輸周圍的氣體並產生相對於氣流倍增器60之進氣口62周圍的氣體之一較低壓區域。加壓氣體68可導致輸入氣體72因夾帶傳輸、壓力差或其組合的關係而被拉進氣流倍增器60。因此氣流倍增器60會產生相對於加壓氣體68之相當大量的冷卻氣體70。故當配置有加壓氣體68時，氣流倍增器60可提供合適的氣體流，該加壓氣體68具有約20 psig至100 psig的壓力，例如在一實施例中為約25 psig至約80 psig，在另一實施例中約30 psig，或在更另一實施例中約50 psig。氣流倍增器60可以至少約20 cfm之流率提供適量的冷卻氣體70，該流率在一實施例中約20 cfm至約3000 cfm，在另一實施例中約25 cfm至約900 cfm，在更另一實施例中約30 cfm至約230 cfm，或在另一實施例中約125 cfm至約230 cfm。
    現在回來參照圖1，在電漿處理裝置100之一實施例中，真空腔室20可耦合至介電窗10。例如，真空腔室20之開口可至少部分被介電窗10所封閉。具體而言，在電漿處理裝置100運作期間，介電窗10之電漿外露表面12可暴露至電漿及/或電漿處理氣體。吾人應注意，當圖1所示之介電窗10耦合至真空腔室20之上時，介電窗10可密封真空腔室20之任意適當的部分以接收電磁能。在某些實施例中，電漿處理裝置100可包含一加熱器26，以加熱介電窗10的部分並降低介電窗10內的應力。
    能源30可放置於真空腔室20之外而與介電窗10相鄰。充氣部40可鄰接於能源30以及介電窗10，如此而使充氣部40與介電窗10之氣體外露表面14流體相通。聯合參照圖5A及5B，充氣部40可位於內線圈32與外線圈34之間。在一實施例中，如圖5A所示，充氣部40的一部份可與介電窗10之氣體外露表面14相接觸。在另一實施例中，如圖5B所示，充氣部40可以一偏離距離D偏離介電窗10之氣體外露表面14。該偏離距離D是可有效促進冷卻介電窗10之任意適當距離，例如在一實施例中，該偏離距離大於約0.25mm，或在另一實施例約2mm。
    在運作期間，能源30會將電磁能傳輸經過介電窗10而進入真空腔室20，以將至少一部份的電漿處理氣體轉換成電漿。一部份之電磁能則轉換成熱能，而可被介電窗10吸收。具體而言，某些電磁能可根據介電窗10之介電特性而轉變成熱，而再一部份的電磁能在離子化電漿處理氣體之後可被介電窗10所吸收(例如介電窗10可透過電漿外露表面12而被電漿加熱)。因此，介電窗10的溫度可藉由電磁能來增加。在某些實施例中，電磁能為各向異性，如此使介電窗10之不同部分受到電磁能的各種不同的量影響。據信介電窗10中導入之熱乃與傳輸通過介電窗10之電磁能的量有關。例如在此處說明之實施例中，大於約40%的電磁能可由介電窗10以熱的方式吸收。介電窗可以熱的方式吸收至少大約0.4 kW的電磁能，例如在一實施例中為大於約1kW，在另一實施例中為大於約1.5 kW，在更另一實施例中為大於約2.25 kW。因此，在介電窗10受到電磁能所引發之相當大量熱能的部分(相對於介電窗10之其他部分)可形成一溫度升高區域16(熱點)。
    充氣部40可放置於介電窗10之溫度升高區域16上方。溫度升高區域16可包含當電漿在真空腔室20內產生時、於製程中超過平均溫度之介電窗10中的任意區域。溫度升高區域16可包含於運作時介電窗10之具有尖峰溫度的部分。或者或額外地，溫度升高區域16也可包含介電窗10之具有最高平均溫度之部分。在包含內線圈32及外線圈34之實施例中，溫度升高區域16可配置於介電窗10位於內線圈32及外線圈34之間夾縫正下方的部分內。在沒有充氣部的實施例中，該至少一個氣流倍增器60(圖4)可與介電窗10之溫度升高區域16直接流體相通。
    回頭參照圖1，至少一個氣流倍增器60係與充氣部40流體相通。具體而言，電漿處理裝置100可具有一或多個導管50。導管50可由被動材料所形成，例如鐵氟龍、PEEK、ultem、陶瓷或其他電磁能傳導材質。每一導管50均包含一倍增器孔而與氣流倍增器60之排氣口64流體相通，並包含一充氣部孔54而與充氣部40之入口42流體相通。因此，氣流倍增器60可透過導管50以及充氣部40來供應冷卻氣體至介電窗10。吾人應注意，雖然圖1顯示4個氣流倍增器60以及4個導管50，電漿處理裝置100可具有任意數量之氣流倍增器60以及導管50而足以供應適當之冷卻至介電窗10。
    供應至充氣部40之氣體可被動式地被排除。例如，可將充氣部40裝設於已壓力控制之腔室22內。該壓力控制腔室22可維持在低於環境壓力，而充氣部40之出口44便可使氣體直接排除至壓力控制腔室22內。該排除之氣體可經由一排氣系統(圖1未顯示)而自壓力控制腔室22中移除。在另一實施例中，壓力控制腔室22可維持在高於環境壓力的情況，而充氣部40之出口44可直接將氣體移除至壓力控制腔室22內。該排除之氣體可經由一排氣孔(圖1未顯示)而自壓力控制腔室22中移除。在更進一步之實施例中，充氣部可與排氣導管(圖1未顯示)流體相通，以被動式地將氣體排除至電漿處理裝置100外。
    或者或額外地，氣體可主動式地自充氣部40排除。例如，一個以上之氣流倍增器60可與充氣部40流體相通，其構造係用以將氣體自充氣部40移除。因此，雖然圖1顯示導管50為僅供輸入的配置，導管50的配置可提供氣體至充氣部40以及/或自充氣部40移除氣體。且，雖然圖1顯示氣流倍增器60提供氣體至充氣部40，但氣流倍增器60之進氣口62係與充氣部40之出口44相通，以自充氣部40移除氣體。
    在某些實施例中，至少使用一氣流倍增器但沒有充氣部。例如，共同參照圖6A及6B，至少一氣流倍增器60與介電窗10之氣體外露表面14流體相通而不使用充氣部。具體來說，圖6A簡略顯示一實施例，其中至少一氣流倍增器60垂直朝向介電窗10之氣體外露表面14。因此，該至少一氣流倍增器60之排氣口64可朝向介電窗10，俾使冷卻氣體70沿著與介電窗10之氣體外露表面14實質垂直的路線流動。在另一實施例中，如圖6B所示，該至少一氣流倍增器60乃以一傾斜角度α朝向介電窗10之氣體外露表面14。因此，該至少一氣流倍增器60之排氣口64可朝向介電窗10，俾使冷卻氣體70沿著以一傾斜角度α朝向介電窗10之氣體外露表面14的路線流動。吾人應注意，雖然圖6B所顯示之傾斜角度α為約25°至35°，該傾斜角度α可以是任意適當的角度以控制介電窗10的溫度。
    如上所述，以至少一氣流倍增器60射入冷卻氣流可產生大量的反壓，如此會禁止氣體朝向介電窗10流動。根據此處所述之實施例，充氣部40通常被加壓到至少約1 in-H2O的反壓，例如在一實施例中為大於約2 in-H2O。且，吾人應注意反壓對氣流倍增器60之操作並非必須。
    例如，使用一自恰性氣流及節能多重物理模型(self-consistent air flow and energy conservation multi-physics model)來計算每一氣流倍增器所提供之氣體輸出以及充氣部內反壓之間的相關性。該模型包含了四個透過導管供應冷卻氣體至一單一充氣部的氣流倍增器。結果係利用一偏移充氣部以及一齊平式充氣部來判定。該模型之結果係整合如下表1。

    該模型結果顯示出對每一氣流倍增器30 cfm的輸出而言，充氣部乃受壓至一至少約2.4 in-H2O的反壓。且，該模型結果亦顯示出，一般而言，反壓與氣流係相關的。具體而言，從氣流倍增器所輸出之輸出流增加，充氣器所提供之反壓(流動阻力)亦增加。
    吾人應瞭解，氣流倍增器可與各種不同氣體管道充氣部設計一起使用，以控制介電窗之溫度。且該模型資料指出，即使當處於反壓足以癱瘓風扇冷卻系統時，氣流倍增器在充氣部的協助之下，仍可提供相當高速之冷卻氣體至介電窗。此處描述之實施例可用來有效冷卻介電窗，該介電窗乃處於例如在整個矽穿孔蝕刻製程期間均受到超過約3 kW之電磁能。且，此處所描述之實施例可用來有效地冷卻處於其他種類之電磁能下的介電窗，例如用於蝕刻製程、化學氣相沈積、氧化蝕刻、金屬蝕刻等等。
    吾人應注意此處「實質上」及「大約」的用語在此用來代表可歸因於數量性比較、價值、測量值、或其他呈現方式的固有不確定程度。這些用語用於此處乃為了呈現一數值表現方式的程度可變化自一指定的參考值而不會導致所述標的之基本功能的變化。
    雖然此處已詳加解說特定實施例，吾人應瞭解在不悖離本發明之申請專利範圍的精神及範圍情況下，可進行各種其他變化與修改。且雖然於此處已描述本發明標的之各種樣態，該等樣態不需混和使用。因此所附之申請專利範圍係涵蓋本發明標的範圍內之各種變化與修改。
    10‧‧‧介電窗
    12‧‧‧電漿外露表面
    14‧‧‧氣體外露表面
    16‧‧‧溫度升高區域
    20‧‧‧真空腔室
    2‧‧‧壓力控制腔室
    24‧‧‧基板
    26‧‧‧加熱器
    30‧‧‧能源
    32‧‧‧內線圈
    34‧‧‧外線圈
    40‧‧‧充氣部
    42‧‧‧入口
    44‧‧‧出口
    46‧‧‧區段
    48‧‧‧分隔牆
    50‧‧‧導管
    54‧‧‧充氣部孔
    60‧‧‧氣流倍增器
    62‧‧‧進氣口
    64‧‧‧排氣口
    66‧‧‧輸入控制
    68‧‧‧加壓氣體
    70‧‧‧冷卻氣體
    72‧‧‧輸入氣體
    74‧‧‧環狀噴嘴
    76‧‧‧環狀邊界
    140‧‧‧充氣區段
    144‧‧‧出口
    下列圖示中所說明之實施例本質上僅為說明及例示之用，並非用以限制申請專利範圍所定義之標的物。下列對例示實施例所做之詳細說明在搭配下列圖示之後將更為人瞭解，其中類似之結構將賦予類似之編號，其中：圖1顯示一示意圖，說明根據本發明之一或多個實施例中之一電漿處理裝置；圖2顯示一示意圖，說明根據本發明之一或多個實施例中之充氣部；圖3顯示一示意圖，說明根據本發明之一或多個實施例中之充氣段；圖4顯示一示意圖，說明根據本發明之一或多個實施例中之氣流倍增器；圖5A顯示根據本發明之一或多個實施例，沿著圖1之5-5線之一示意橫剖面圖；圖5B顯示根據本發明之一或多個實施例，沿著圖1之5-5線之一示意橫剖面圖；圖6A顯示一示意圖，說明根據本發明之一或多個實施例中之介電窗；圖6B顯示一示意圖，說明根據本發明之一或多個實施例中之介電窗。
    10‧‧‧介電窗
    14‧‧‧氣體外露表面
    20‧‧‧真空腔室
    22‧‧‧壓力控制腔室
    24‧‧‧基板
    26‧‧‧加熱器
    30‧‧‧能源
    32‧‧‧內線圈
    34‧‧‧外線圈
    40‧‧‧充氣部
    44‧‧‧出口
    50‧‧‧導管
    54‧‧‧充氣部孔
    60‧‧‧氣流倍增器
    62‧‧‧進氣口
    64‧‧‧排氣口
    权利要求:
    Claims (20)
    [1] 一種電漿處理裝置，其包含：一介電窗，其包含一電漿外露表面以及一氣體外露表面；一真空腔室，其耦合至該介電窗，其中該真空腔室與該介電窗之該電漿外露表面一同協作，以圍住一電漿處理氣體；一能源，其設置係鄰接該介電窗，其中該能源乃傳輸電磁能通過該介電窗而進入該真空腔室，俾使該電磁能在該介電窗內形成一溫度提高區域，並將至少一部份之該電漿處理氣體轉換成一電漿；及至少一氣流倍增器，其與該介電窗之該氣體外露表面流體相通，其中該至少一氣流倍增器係在一至少約1 in-H2O的反壓下運作，並提供至少約30 cfm的氣體。
    [2] 如申請專利範圍第1項所述之電漿處理裝置，更包含與該介電窗之該氣體外露表面及該至少一氣流倍增器流體相通之一充氣部，其中該充氣部係位於該介電窗之該溫度提高區域之上方。
    [3] 如申請專利範圍第2項所述之電漿處理裝置，其中該溫度提高區域係與該真空腔室內之該電漿引起的熱一致。
    [4] 如申請專利範圍第2項所述之電漿處理裝置，其中該至少一氣流倍增器包含與一環狀噴嘴流體相通之一輸入控制。
    [5] 如申請專利範圍第4項所述之電漿處理裝置，其中更包含一個以上之導管，其與該至少一氣流倍增器以及該充氣部流體相通。
    [6] 如申請專利範圍第5項所述之電漿處理裝置，其中該充氣部以及該一個以上之導管包含一被動材料。
    [7] 如申請專利範圍第6項所述之電漿處理裝置，其中該至少一氣流倍增器施壓於該充氣部，俾使該反壓為至少約2 in-H2O，且該至少一氣流倍增器的每一個均提供約30 cfm的氣體。
    [8] 如申請專利範圍第6項所述之電漿處理裝置，其中該充氣部包含至少一出口。
    [9] 如申請專利範圍第8項所述之電漿處理裝置，其中該充氣部係位於一壓力控制封閉空間內，而氣體乃由該充氣部之該至少一出口排至該壓力控制封閉空間。
    [10] 如申請專利範圍第8項所述之電漿處理裝置，其中該一個以上之導管的其中之一係與該充氣部之該至少一出口以及一清洗氣流倍增器流體相通，俾使該清洗氣流倍增器自該充氣部移除氣體。
    [11] 如申請專利範圍第2項所述之電漿處理裝置，其中該能源包含一內線圈以及一外線圈。
    [12] 如申請專利範圍第11項所述之電漿處理裝置，其中該充氣部係放置於該內線圈與該外線圈之間。
    [13] 如申請專利範圍第12項所述之電漿處理裝置，其中該充氣部為實質環狀。
    [14] 如申請專利範圍第2項所述之電漿處理裝置，其中該充氣部乃於該介電窗相接。
    [15] 如申請專利範圍第2項所述之電漿處理裝置，其中該充氣部乃偏移該介電窗。
    [16] 如申請專利範圍第1項所述之電漿處理裝置，其中該能源包含一射頻源、一螺旋波源、一電子迴旋共振、一微波源或一前述之組合。
    [17] 如申請專利範圍第1項所述之電漿處理裝置，其中該電磁能具有大於約50W的功率位準。
    [18] 如申請專利範圍第1項所述之電漿處理裝置，其中該介電窗包含氮化鋁、氧化鋁或石英。
    [19] 如申請專利範圍第1項所述之電漿處理裝置，其中該至少一氣流倍增器係與該介電窗之該氣體外露表面流體相通而不需使用一充氣部。
    [20] 一種電漿處理裝置，包含：一介電窗，其包含一電漿外露表面以及一氣體外露表面；一真空腔室，其耦合至該介電窗，其中該真空腔室與該介電窗之該電漿外露表面一同協作，以圍住一電漿處理氣體；一能源，其設置係位於該真空腔室之外，其中該能源乃傳輸電磁能通過該介電窗而進入該真空腔室，俾使該電磁能在該介電窗內形成一溫度提高區域，而將至少一部份之該電漿處理氣體轉換成一電漿；一充氣部，其與該介電窗之該氣體外露表面流體相通，其中該充氣部乃放置於該介電窗之該溫度提高區域之上方；及至少一氣流倍增器，其與該充氣部流體相通，其中該至少一氣流倍增器係施壓該充氣部至一至少約2 in-H2O的反壓，並提供至少約30 cfm的氣體。
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    JPH10149896A|1998-06-02|プラズマ処理装置
    JP4999441B2|2012-08-15|プラズマ処理装置
    同族专利:
    公开号 | 公开日
    US10825661B2|2020-11-03|
    US9978565B2|2018-05-22|
    TWI526123B|2016-03-11|
    KR101526129B1|2015-06-04|
    US20180247796A1|2018-08-30|
    US20210050188A1|2021-02-18|
    SG189611A1|2013-05-31|
    SG10201502125VA|2015-08-28|
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    US20130087283A1|2013-04-11|
    KR20130038155A|2013-04-17|
    引用文献:
    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
    US6024826A|1996-05-13|2000-02-15|Applied Materials, Inc.|Plasma reactor with heated source of a polymer-hardening precursor material|
    TW293983B|1993-12-17|1996-12-21|Tokyo Electron Co Ltd||
    JP3553688B2|1995-05-10|2004-08-11|アネルバ株式会社|プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法|
    TW279240B|1995-08-30|1996-06-21|Applied Materials Inc|Parallel-plate icp source/rf bias electrode head|
    EP0808917B1|1996-05-21|2002-04-10|Applied Materials, Inc.|Apparatus and method for controlling the temperature of a wall of a reaction chamber|
    US5863376A|1996-06-05|1999-01-26|Lam Research Corporation|Temperature controlling method and apparatus for a plasma processing chamber|
    KR100493903B1|1996-06-05|2005-09-02|램 리서치 코포레이션|플라즈마처리챔버용온도제어방법및장치|
    US6059922A|1996-11-08|2000-05-09|Kabushiki Kaisha Toshiba|Plasma processing apparatus and a plasma processing method|
    US5944899A|1996-08-22|1999-08-31|Applied Materials, Inc.|Inductively coupled plasma processing chamber|
    TW447029B|1997-10-08|2001-07-21|Applied Materials Inc|Closed-loop dome thermal control apparatus for a semiconductor wafer processing system|
    US6367410B1|1996-12-16|2002-04-09|Applied Materials, Inc.|Closed-loop dome thermal control apparatus for a semiconductor wafer processing system|
    US6280563B1|1997-12-31|2001-08-28|Lam Research Corporation|Plasma device including a powered non-magnetic metal member between a plasma AC excitation source and the plasma|
    US6189484B1|1999-03-05|2001-02-20|Applied Materials Inc.|Plasma reactor having a helicon wave high density plasma source|
    US6326597B1|1999-04-15|2001-12-04|Applied Materials, Inc.|Temperature control system for process chamber|
    US6243966B1|1999-12-10|2001-06-12|Applied Materials, Inc.|Air amplifier with uniform output flow pattern|
    US6414648B1|2000-07-06|2002-07-02|Applied Materials, Inc.|Plasma reactor having a symmetric parallel conductor coil antenna|
    US6685798B1|2000-07-06|2004-02-03|Applied Materials, Inc|Plasma reactor having a symmetrical parallel conductor coil antenna|
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